CMSC8015
IC
DFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
CMSC8015
这款N沟道MOSFET采用Cmos先进的功率沟槽工艺制造， 该工艺经过特别设计， 可在最大程度降低导通电阻的同时， 保持出色的开关性能。
品牌
Cmos
封装
DFN-8(3.3x3.3)
库存
10
货期
现货
CMSC8015参数
| 封装 | DFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
CMSC8015概述
这款N沟道MOSFET采用Cmos先进的功率沟槽工艺制造， 该工艺经过特别设计， 可在最大程度降低导通电阻的同时， 保持出色的开关性能。
CMSC8015特性
暂无产品特性。
CMSC8015应用领域
暂无应用领域。