CMSC7341
IC
DFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
CMSC7341
CMSC7341将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 P沟道增强型MOSFET
Brand
Cmos
Package
DFN-8(3.3x3.3)
Stock
50
货期
现货
CMSC7341Parameters
| 封装 | DFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
CMSC7341概述
CMSC7341将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 P沟道增强型MOSFET
CMSC7341特性
暂无产品特性。
CMSC7341应用领域
暂无应用领域。