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CMSC60P03
IC

DFN-8(3.3x3.3)

可供量大可议

CMSC60P03

CMSC60P03将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合, 以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 P沟道增强型MOSFET

品牌

Cmos

封装

DFN-8(3.3x3.3)

库存

215

货期

现货

CMSC60P03参数

封装DFN-8(3.3x3.3)
品牌Cmos(广东场效应半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存215

CMSC60P03概述

CMSC60P03将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合, 以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 P沟道增强型MOSFET

CMSC60P03特性

暂无产品特性。

CMSC60P03应用领域

暂无应用领域。

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