CMSC3606
IC
DFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
CMSC3606
CMSC3606是具有高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
品牌
Cmos
封装
DFN-8(3.3x3.3)
库存
3,970
货期
现货
CMSC3606参数
| 封装 | DFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3970 |
CMSC3606概述
CMSC3606是具有高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
CMSC3606特性
暂无产品特性。
CMSC3606应用领域
暂无应用领域。