CMSC35N06B
IC
DFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
CMSC35N06B
CMSC35N06B采用先进的SGT技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)。 适用于直流-直流转换器和通用应用。 60V、典型值35mΩ、12A的N沟道MOSFET
品牌
Cmos
封装
DFN-8(3.3x3.3)
库存
200
货期
现货
CMSC35N06B参数
| 封装 | DFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
CMSC35N06B概述
CMSC35N06B采用先进的SGT技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)。 适用于直流-直流转换器和通用应用。 60V、典型值35mΩ、12A的N沟道MOSFET
CMSC35N06B特性
暂无产品特性。
CMSC35N06B应用领域
暂无应用领域。