CMSC3007B
IC
DFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
CMSC3007B
CMSC3007B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 -30V、典型值12mΩ、-40A的P沟道MOSFET
品牌
Cmos
封装
DFN-8(3.3x3.3)
库存
160
货期
现货
CMSC3007B参数
| 封装 | DFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 160 |
CMSC3007B概述
CMSC3007B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 -30V、典型值12mΩ、-40A的P沟道MOSFET
CMSC3007B特性
暂无产品特性。
CMSC3007B应用领域
暂无应用领域。