CMSC085N06
IC
DFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
CMSC085N06
CMSC085N06采用先进技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并将功率转换应用的损耗降至最低。 该器件适合用作开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。
品牌
Cmos
封装
DFN-8(3.3x3.3)
库存
125
货期
现货
CMSC085N06参数
| 封装 | DFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 125 |
CMSC085N06概述
CMSC085N06采用先进技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并将功率转换应用的损耗降至最低。 该器件适合用作开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。
CMSC085N06特性
暂无产品特性。
CMSC085N06应用领域
暂无应用领域。