CMSA80P02B
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
CMSA80P02B
CMSA80P02B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 以实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 P沟道增强型MOSFET
品牌
Cmos
封装
DFN-8(5x6)
库存
200
货期
现货
CMSA80P02B参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
CMSA80P02B概述
CMSA80P02B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 以实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 P沟道增强型MOSFET
CMSA80P02B特性
暂无产品特性。
CMSA80P02B应用领域
暂无应用领域。