CMSA65R280Q
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
CMSA65R280Q
采用先进的超结技术， 可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过优化的电荷耦合技术， 可提供更高的效率。 这些用户友好型产品为设计人员带来低电磁干扰和低开关损耗的优势。
品牌
Cmos
封装
DFN-8(5x6)
库存
208
货期
现货
CMSA65R280Q参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 208 |
CMSA65R280Q概述
采用先进的超结技术， 可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过优化的电荷耦合技术， 可提供更高的效率。 这些用户友好型产品为设计人员带来低电磁干扰和低开关损耗的优势。
CMSA65R280Q特性
暂无产品特性。
CMSA65R280Q应用领域
暂无应用领域。