CMSA609
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
CMSA609
CMSA609采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于逆变器及其他应用。
品牌
Cmos
封装
DFN-8(5x6)
库存
35
货期
现货
CMSA609参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 25W； 30W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC； 10nC |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF； 76pF |
| 商品名称 | 1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:20A 18A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V； 1V |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF； 1.3nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | CMSA609 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000143 |
CMSA609概述
CMSA609采用先进的沟槽技术, 可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于逆变器等应用。
CMSA609特性
- 30V、20A, VGS = 10V时, RDS(ON) = 17mΩ
- 30V、-18A, VGS = -10V时, RDS(ON) = 42mΩ
- 表面贴装封装
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 符合RoHS标准
CMSA609应用领域
- 同步整流
- 大电流、高速开关
- 便携式设备应用