CMSA30DN06
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
CMSA30DN06
CMSA30DN06采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于高性能汽车应用。 60V、典型值14mΩ、30A双N沟道MOSFET
品牌
Cmos
封装
DFN-8(5x6)
库存
20
货期
现货
CMSA30DN06参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
CMSA30DN06概述
CMSA30DN06采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于高性能汽车应用。 60V、典型值14mΩ、30A双N沟道MOSFET
CMSA30DN06特性
暂无产品特性。
CMSA30DN06应用领域
暂无应用领域。