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CMSA15N06L
IC

DFN-8(5x6)

可供量大可议

CMSA15N06L

CMSA15N06L采用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷, 并将电源转换应用中的损耗降至最低。 该器件适用于作为开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。

品牌

Cmos

封装

DFN-8(5x6)

库存

65

货期

现货

CMSA15N06L参数

封装DFN-8(5x6)
品牌Cmos(广东场效应半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存65

CMSA15N06L概述

CMSA15N06L采用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷, 并将电源转换应用中的损耗降至最低。 该器件适用于作为开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。

CMSA15N06L特性

暂无产品特性。

CMSA15N06L应用领域

暂无应用领域。

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