CMSA100P04
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
CMSA100P04
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计， 以提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于作为负载开关和电池保护应用。 -40V、典型值5.8mΩ、-100A的P沟道MOSFET
品牌
Cmos
封装
DFN-8(5x6)
库存
287
货期
现货
CMSA100P04参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 287 |
CMSA100P04概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计， 以提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于作为负载开关和电池保护应用。 -40V、典型值5.8mΩ、-100A的P沟道MOSFET
CMSA100P04特性
暂无产品特性。
CMSA100P04应用领域
暂无应用领域。