CMSA046N10A
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
CMSA046N10A
CMSA046N10A采用沟槽式MOSFET技术， 该技术经过独特优化， 可提供最高效的高频开关性能。 由于RDS(ON)、Ciss和Coss的组合极低， 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器
品牌
Cmos
封装
DFN-8(5x6)
库存
395
货期
现货
CMSA046N10A参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 395 |
CMSA046N10A概述
CMSA046N10A采用沟槽式MOSFET技术， 该技术经过独特优化， 可提供最高效的高频开关性能。 由于RDS(ON)、Ciss和Coss的组合极低， 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器
CMSA046N10A特性
暂无产品特性。
CMSA046N10A应用领域
暂无应用领域。