CMSA018DN10
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
CMSA018DN10
CMSA018DN10采用先进的SGT技术， 可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。 双N沟道增强型MOSFET
品牌
Cmos
封装
DFN-8(5x6)
库存
80
货期
现货
CMSA018DN10参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
CMSA018DN10概述
CMSA018DN10采用先进的SGT技术， 可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。 双N沟道增强型MOSFET
CMSA018DN10特性
暂无产品特性。
CMSA018DN10应用领域
暂无应用领域。