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CMSA012N06
IC

DFN-8(5x6)

可供量大可议

CMSA012N06

CMSA012N06采用先进的沟槽技术, 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷, 并将电源转换应用中的损耗降至最低。 该器件适用于开关模式电源(SMPS)中的低端场效应晶体管(FET)、负载开关及通用应用。

品牌

Cmos

封装

DFN-8(5x6)

库存

5

货期

现货

CMSA012N06参数

封装DFN-8(5x6)
品牌Cmos(广东场效应半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

CMSA012N06概述

CMSA012N06采用先进的沟槽技术, 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷, 并将电源转换应用中的损耗降至最低。 该器件适用于开关模式电源(SMPS)中的低端场效应晶体管(FET)、负载开关及通用应用。

CMSA012N06特性

暂无产品特性。

CMSA012N06应用领域

暂无应用领域。

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