CMR2U-06TR13PBFREE-HXY
IC
SMB
可供量大可议
CMR2U-06TR13PBFREE-HXY
该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有2A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的导通与阻断特性。 器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源及各类对恢复时间与能效要求较高的电子系统中, 确保在动态负载条件下稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
48
货期
现货
CMR2U-06TR13PBFREE-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
CMR2U-06TR13PBFREE-HXY概述
该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有2A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的导通与阻断特性。 器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源及各类对恢复时间与能效要求较高的电子系统中, 确保在动态负载条件下稳定运行。
CMR2U-06TR13PBFREE-HXY特性
暂无产品特性。
CMR2U-06TR13PBFREE-HXY应用领域
暂无应用领域。
