CMR2S-06TR13PBFREE-HXY
IC
SMB
可供量大可议
CMR2S-06TR13PBFREE-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)低至5μA, 确保良好的关断特性。 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复时间和能效有较高要求的电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
35
货期
现货
CMR2S-06TR13PBFREE-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 35 |
CMR2S-06TR13PBFREE-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)低至5μA, 确保良好的关断特性。 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复时间和能效有较高要求的电子系统中。
CMR2S-06TR13PBFREE-HXY特性
暂无产品特性。
CMR2S-06TR13PBFREE-HXY应用领域
暂无应用领域。
