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CMPSH-3CG-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

CMPSH-3CG-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为30V, 正向压降(VF)典型值为1V, 反向漏电流(IR)为2μA。 器件具备0.6A的正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于低电压电源整流、信号箝位、逻辑电平转换及高频开关电路中的续流保护等场景, 其共阴极配置有助于简化电路布局并节省空间。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

145

货期

现货

CMPSH-3CG-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存145

CMPSH-3CG-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为30V, 正向压降(VF)典型值为1V, 反向漏电流(IR)为2μA。 器件具备0.6A的正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于低电压电源整流、信号箝位、逻辑电平转换及高频开关电路中的续流保护等场景, 其共阴极配置有助于简化电路布局并节省空间。

CMPSH-3CG-HXY特性

暂无产品特性。

CMPSH-3CG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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