CMPSH-3CG-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
CMPSH-3CG-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为30V, 正向压降(VF)典型值为1V, 反向漏电流(IR)为2μA。 器件具备0.6A的正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于低电压电源整流、信号箝位、逻辑电平转换及高频开关电路中的续流保护等场景, 其共阴极配置有助于简化电路布局并节省空间。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
145
货期
现货
CMPSH-3CG-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 145 |
CMPSH-3CG-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为30V, 正向压降(VF)典型值为1V, 反向漏电流(IR)为2μA。 器件具备0.6A的正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于低电压电源整流、信号箝位、逻辑电平转换及高频开关电路中的续流保护等场景, 其共阴极配置有助于简化电路布局并节省空间。
CMPSH-3CG-HXY特性
暂无产品特性。
CMPSH-3CG-HXY应用领域
暂无应用领域。
