CMPSH-3AETR-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
CMPSH-3AETR-HXY
该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在导通时保持较低功耗; 反向漏电流(IR)仅为0.2μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于双路信号整流、电源极性保护以及低功耗电子设备中的同步检波等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
170
货期
现货
CMPSH-3AETR-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 170 |
CMPSH-3AETR-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在导通时保持较低功耗; 反向漏电流(IR)仅为0.2μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于双路信号整流、电源极性保护以及低功耗电子设备中的同步检波等应用场景。
CMPSH-3AETR-HXY特性
暂无产品特性。
CMPSH-3AETR-HXY应用领域
暂无应用领域。
