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CMPSH-3AETR-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

CMPSH-3AETR-HXY

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在导通时保持较低功耗; 反向漏电流(IR)仅为0.2μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于双路信号整流、电源极性保护以及低功耗电子设备中的同步检波等应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

170

货期

现货

CMPSH-3AETR-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存170

CMPSH-3AETR-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在导通时保持较低功耗; 反向漏电流(IR)仅为0.2μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于双路信号整流、电源极性保护以及低功耗电子设备中的同步检波等应用场景。

CMPSH-3AETR-HXY特性

暂无产品特性。

CMPSH-3AETR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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