CMP55NF06
IC
TO-220
可供量大可议
CMP55NF06
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽技术制造， 可实现低导通电阻RDS(on)和优化的漏源击穿电压BVDSS能力， 从而在应用中提供卓越的性能优势。
品牌
Cmos
封装
TO-220
库存
105
货期
现货
CMP55NF06参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 105 |
CMP55NF06概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽技术制造， 可实现低导通电阻RDS(on)和优化的漏源击穿电压BVDSS能力， 从而在应用中提供卓越的性能优势。
CMP55NF06特性
暂无产品特性。
CMP55NF06应用领域
暂无应用领域。