CMP55N25
IC
TO-220
可供量大可议
CMP55N25
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。 该先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正
品牌
Cmos
封装
TO-220
库存
95
货期
现货
CMP55N25参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
CMP55N25概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。 该先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正
CMP55N25特性
暂无产品特性。
CMP55N25应用领域
暂无应用领域。