CMP32N30P
IC
TO-220
可供量大可议
CMP32N30P
MOS管， 封装：TO-220， 极性：N场， 耐压：300V， 电流：32A， 10V内阻：0.12Ω， 功率：160W， COSS(TYP):3000PF
品牌
Cmos
封装
TO-220
库存
100
货期
现货
CMP32N30P参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 300V |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | N场 300V 32A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 106mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 3nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
| 商品型号 | CMP32N30P |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0027565 |
CMP32N30P概述
这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。 这些器件非常适合高效率开关式DC/DC转换器和开关模式电源。 300V、典型值106mΩ、32A的N沟道MOSFET
CMP32N30P特性
- 低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
CMP32N30P应用领域
- DC/DC转换器
- 开关模式电源