CMP12N60M
IC
TO-220
可供量大可议
CMP12N60M
12N60M采用先进的平面条纹DMOS技术， 可提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
品牌
Cmos
封装
TO-220
库存
4
货期
现货
CMP12N60M参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
CMP12N60M概述
12N60M采用先进的平面条纹DMOS技术， 可提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
CMP12N60M特性
暂无产品特性。
CMP12N60M应用领域
暂无应用领域。