CMP006N12B
IC
TO-220
可供量大可议
CMP006N12B
006N12B采用先进的沟槽技术和设计， 以提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于脉冲宽度调制（PWM）、负载开关和通用应用。
品牌
Cmos
封装
TO-220
库存
191
货期
现货
CMP006N12B参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 191 |
CMP006N12B概述
006N12B采用先进的沟槽技术和设计， 以提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于脉冲宽度调制（PWM）、负载开关和通用应用。
CMP006N12B特性
暂无产品特性。
CMP006N12B应用领域
暂无应用领域。