CMOSH2-4LTR-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
CMOSH2-4LTR-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.54V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)为90μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、箝位及电源管理等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
158
货期
现货
CMOSH2-4LTR-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 158 |
CMOSH2-4LTR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.54V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)为90μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、箝位及电源管理等电路场合。
CMOSH2-4LTR-HXY特性
暂无产品特性。
CMOSH2-4LTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
