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CMOSH2-4LTR-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

CMOSH2-4LTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.54V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)为90μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、箝位及电源管理等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

158

货期

现货

CMOSH2-4LTR-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存158

CMOSH2-4LTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.54V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)为90μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、箝位及电源管理等电路场合。

CMOSH2-4LTR-HXY特性

暂无产品特性。

CMOSH2-4LTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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