CMOSH-4E-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
CMOSH-4E-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.35A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.6V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为5μA, 有助于提升系统能效。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路中, 常见于电源管理、信号解调及低电压输出场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
155
货期
现货
CMOSH-4E-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 155 |
CMOSH-4E-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.35A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.6V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为5μA, 有助于提升系统能效。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路中, 常见于电源管理、信号解调及低电压输出场景。
CMOSH-4E-HXY特性
暂无产品特性。
CMOSH-4E-HXY应用领域
暂无应用领域。
