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CMOSH-4E-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

CMOSH-4E-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.35A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.6V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为5μA, 有助于提升系统能效。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路中, 常见于电源管理、信号解调及低电压输出场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

155

货期

现货

CMOSH-4E-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存155

CMOSH-4E-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.35A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.6V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为5μA, 有助于提升系统能效。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路中, 常见于电源管理、信号解调及低电压输出场景。

CMOSH-4E-HXY特性

暂无产品特性。

CMOSH-4E-HXY应用领域

暂无应用领域。

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