CMN5P04AM
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
CMN5P04AM
CMN5P04AM采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
Cmos
封装
SOT-23-3L
库存
130
货期
现货
CMN5P04AM参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 130 |
CMN5P04AM概述
CMN5P04AM采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
CMN5P04AM特性
暂无产品特性。
CMN5P04AM应用领域
暂无应用领域。