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CMN3J332M
IC

SOT-23-3L

可供量大可议

CMN3J332M

CMN3J332M采用先进的沟槽技术, 具备出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

品牌

Cmos

封装

SOT-23-3L

库存

10

货期

现货

CMN3J332M参数

封装SOT-23-3L
品牌Cmos(广东场效应半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存10

CMN3J332M概述

CMN3J332M采用先进的沟槽技术, 具备出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

CMN3J332M特性

暂无产品特性。

CMN3J332M应用领域

暂无应用领域。

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