CMN3406M
IC
SOT-23
可供量大可议
CMN3406M
CMN3406M采用先进的沟槽技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
Cmos
封装
SOT-23
库存
120
货期
现货
CMN3406M参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 120 |
CMN3406M概述
CMN3406M采用先进的沟槽技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
CMN3406M特性
暂无产品特性。
CMN3406M应用领域
暂无应用领域。