CMN3400M
IC
SOT-23
可供量大可议
CMN3400M
CMN3400M采用先进的沟槽技术， 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 且能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
Cmos
封装
SOT-23
库存
5
货期
现货
CMN3400M参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
CMN3400M概述
CMN3400M采用先进的沟槽技术， 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 且能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
CMN3400M特性
暂无产品特性。
CMN3400M应用领域
暂无应用领域。