CMN2808MD
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
CMN2808MD
CMN2808MD采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用， 具备静电放电（ESD）保护功能。
品牌
Cmos
封装
SOT-23-3L
库存
210
货期
现货
CMN2808MD参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 210 |
CMN2808MD概述
CMN2808MD采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用， 具备静电放电（ESD）保护功能。
CMN2808MD特性
暂无产品特性。
CMN2808MD应用领域
暂无应用领域。