CMN2308MS
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
CMN2308MS
CMN2308MS是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
品牌
Cmos
封装
SOT-23-3L
库存
2,020
货期
现货
CMN2308MS参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2020 |
CMN2308MS概述
CMN2308MS是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
CMN2308MS特性
暂无产品特性。
CMN2308MS应用领域
暂无应用领域。