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CMN2308M
IC

SOT-23-3L

可供量大可议

CMN2308M

使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(ON)。 该产品适用于电池保护或其他开关应用。

品牌

Cmos

封装

SOT-23-3L

库存

1,085

货期

现货

CMN2308M参数

封装SOT-23-3L
品牌Cmos(广东场效应半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存1085

CMN2308M概述

使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(ON)。 该产品适用于电池保护或其他开关应用。

CMN2308M特性

暂无产品特性。

CMN2308M应用领域

暂无应用领域。

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