CMN2305AM
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
CMN2305AM
CMN2305AM采用先进的沟槽技术， 可提供出色的RDS(ON)。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
Cmos
封装
SOT-23-3L
库存
80
货期
现货
CMN2305AM参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
CMN2305AM概述
CMN2305AM采用先进的沟槽技术， 可提供出色的RDS(ON)。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
CMN2305AM特性
暂无产品特性。
CMN2305AM应用领域
暂无应用领域。