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CMMSH1-40GTR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

CMMSH1-40GTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过200μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源转换场合, 常见于消费类电子、便携设备及通用电源模块中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

385

货期

现货

CMMSH1-40GTR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存385

CMMSH1-40GTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过200μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源转换场合, 常见于消费类电子、便携设备及通用电源模块中。

CMMSH1-40GTR-HXY特性

暂无产品特性。

CMMSH1-40GTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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