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CMMSH1-100GTR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

CMMSH1-100GTR-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过200μA, 体现出良好的阻断特性。 器件适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源管理场景, 凭借肖特基结构带来的快速开关性能, 可在多种电子系统中实现稳定可靠的单向导通功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

35

货期

现货

CMMSH1-100GTR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存35

CMMSH1-100GTR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过200μA, 体现出良好的阻断特性。 器件适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源管理场景, 凭借肖特基结构带来的快速开关性能, 可在多种电子系统中实现稳定可靠的单向导通功能。

CMMSH1-100GTR-HXY特性

暂无产品特性。

CMMSH1-100GTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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