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CMIDSH1-3TR-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

CMIDSH1-3TR-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和30V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在规定工作条件下保持稳定。 器件可承受1.5A的峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、高频开关及低电压电路等应用, 凭借较低的导通压降和较快的开关响应, 有助于提升电路效率与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

190

货期

现货

CMIDSH1-3TR-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存190

CMIDSH1-3TR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和30V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在规定工作条件下保持稳定。 器件可承受1.5A的峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、高频开关及低电压电路等应用, 凭借较低的导通压降和较快的开关响应, 有助于提升电路效率与可靠性。

CMIDSH1-3TR-HXY特性

暂无产品特性。

CMIDSH1-3TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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