CMIDSH1-3TR-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
CMIDSH1-3TR-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和30V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在规定工作条件下保持稳定。 器件可承受1.5A的峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、高频开关及低电压电路等应用, 凭借较低的导通压降和较快的开关响应, 有助于提升电路效率与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
190
货期
现货
CMIDSH1-3TR-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 190 |
CMIDSH1-3TR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和30V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在规定工作条件下保持稳定。 器件可承受1.5A的峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、高频开关及低电压电路等应用, 凭借较低的导通压降和较快的开关响应, 有助于提升电路效率与可靠性。
CMIDSH1-3TR-HXY特性
暂无产品特性。
CMIDSH1-3TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
