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CMHSH5-4-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

CMHSH5-4-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为0.5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具备较低的功耗; 反向漏电流为80μA, 显示出良好的阻断能力。 器件可承受高达5.5A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于低压电源整流、高频信号检波以及对效率和响应速度有要求的便携式电子设备中的多种电路场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

40

货期

现货

CMHSH5-4-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存40

CMHSH5-4-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为0.5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具备较低的功耗; 反向漏电流为80μA, 显示出良好的阻断能力。 器件可承受高达5.5A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于低压电源整流、高频信号检波以及对效率和响应速度有要求的便携式电子设备中的多种电路场景。

CMHSH5-4-HXY特性

暂无产品特性。

CMHSH5-4-HXY应用领域

暂无应用领域。

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