CMH20N50
IC
TO-247
可供量大可议
CMH20N50
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造， 该技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
品牌
Cmos
封装
TO-247
库存
60
货期
现货
CMH20N50参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
CMH20N50概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造， 该技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
CMH20N50特性
暂无产品特性。
CMH20N50应用领域
暂无应用领域。