CMF65R580Q
IC
TO-220F
可供量大可议
CMF65R580Q
65R580Q采用先进的超结技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 这项先进技术经过优化， 可最大程度降低传导损耗， 提供卓越的开关性能， 并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。 适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换， 以实现更高的效率
品牌
Cmos
封装
TO-220F
库存
127
货期
现货
CMF65R580Q参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 127 |
CMF65R580Q概述
65R580Q采用先进的超结技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 这项先进技术经过优化， 可最大程度降低传导损耗， 提供卓越的开关性能， 并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。 适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换， 以实现更高的效率
CMF65R580Q特性
暂无产品特性。
CMF65R580Q应用领域
暂无应用领域。