CMF65R190
IC
TO-220F
可供量大可议
CMF65R190
65R190 是一款采用 CMOS 先进超结技术的功率 MOSFET， 可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术， 它将提供更高的效率。 这些用户友好型器件不仅能降低开关损耗， 还能为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势
品牌
Cmos
封装
TO-220F
库存
165
货期
现货
CMF65R190参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 165 |
CMF65R190概述
65R190 是一款采用 CMOS 先进超结技术的功率 MOSFET， 可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术， 它将提供更高的效率。 这些用户友好型器件不仅能降低开关损耗， 还能为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势
CMF65R190特性
暂无产品特性。
CMF65R190应用领域
暂无应用领域。