CMF13N50T
IC
TO-220F
可供量大可议
CMF13N50T
13N50T采用先进的高压MOSFET技术制造。 这种先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
品牌
Cmos
封装
TO-220F
库存
71
货期
现货
CMF13N50T参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 71 |
CMF13N50T概述
13N50T采用先进的高压MOSFET技术制造。 这种先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
CMF13N50T特性
暂无产品特性。
CMF13N50T应用领域
暂无应用领域。