CMF11N60B
IC
TO-220F
可供量大可议
CMF11N60B
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造。 这项最新技术专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
品牌
Cmos
封装
TO-220F
库存
160
货期
现货
CMF11N60B参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 160 |
CMF11N60B概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造。 这项最新技术专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
CMF11N60B特性
暂无产品特性。
CMF11N60B应用领域
暂无应用领域。