CMDSH-4ETR-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
CMDSH-4ETR-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)为1V, 在导通状态下保持较低的功率损耗。 反向漏电流(IR)低至0.2μA, 展现出优异的反向截止性能。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)0.6A, 适用于对效率、稳定性和低漏电要求较高的电源整流、信号解调及高频开关等电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
310
货期
现货
CMDSH-4ETR-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 310 |
CMDSH-4ETR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)为1V, 在导通状态下保持较低的功率损耗。 反向漏电流(IR)低至0.2μA, 展现出优异的反向截止性能。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)0.6A, 适用于对效率、稳定性和低漏电要求较高的电源整流、信号解调及高频开关等电子电路中。
CMDSH-4ETR-HXY特性
暂无产品特性。
CMDSH-4ETR-HXY应用领域
暂无应用领域。
