CMD8447B
IC
TO-252
可供量大可议
CMD8447B
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术生产， 可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的漏源击穿电压（BVDSS）能力， 在应用中提供卓越的性能优势。
品牌
Cmos
封装
TO-252
库存
195
货期
现货
CMD8447B参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 195 |
CMD8447B概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术生产， 可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的漏源击穿电压（BVDSS）能力， 在应用中提供卓越的性能优势。
CMD8447B特性
暂无产品特性。
CMD8447B应用领域
暂无应用领域。