CMD65R280Q
IC
TO-252
可供量大可议
CMD65R280Q
使用先进的超结技术， 可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过优化的电荷耦合技术， 可提供更高的效率。 这些用户友好的器件为设计人员提供了低电磁干扰以及低开关损耗的优势。
品牌
Cmos
封装
TO-252
库存
6
货期
现货
CMD65R280Q参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
CMD65R280Q概述
使用先进的超结技术， 可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过优化的电荷耦合技术， 可提供更高的效率。 这些用户友好的器件为设计人员提供了低电磁干扰以及低开关损耗的优势。
CMD65R280Q特性
暂无产品特性。
CMD65R280Q应用领域
暂无应用领域。