CMD40N04
IC
TO-252
可供量大可议
CMD40N04
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术制造， 可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的漏源击穿电压（BVDSS）能力， 从而在应用中提供卓越的性能优势。
品牌
Cmos
封装
TO-252
库存
210
货期
现货
CMD40N04参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 210 |
CMD40N04概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术制造， 可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的漏源击穿电压（BVDSS）能力， 从而在应用中提供卓越的性能优势。
CMD40N04特性
暂无产品特性。
CMD40N04应用领域
暂无应用领域。