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CMD3N50M
IC

TO-252

可供量大可议

CMD3N50M

3N50M采用先进的高压MOSFET工艺制造, 该工艺旨在为常见的交直流应用提供高性能和高可靠性。

品牌

Cmos

封装

TO-252

库存

215

货期

现货

CMD3N50M参数

封装TO-252
品牌Cmos(广东场效应半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存215

CMD3N50M概述

3N50M采用先进的高压MOSFET工艺制造, 该工艺旨在为常见的交直流应用提供高性能和高可靠性。

CMD3N50M特性

暂无产品特性。

CMD3N50M应用领域

暂无应用领域。

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