CMD30DN03
IC
TO-252-4L
可供量大可议
CMD30DN03
CMD30DN03是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET， 它采用极高的单元密度， 以实现低导通电阻（Rdson）和低栅极电荷特性。 它非常适合用于同步降压转换器应用。
品牌
Cmos
封装
TO-252-4L
库存
200
货期
现货
CMD30DN03参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
CMD30DN03概述
CMD30DN03是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET， 它采用极高的单元密度， 以实现低导通电阻（Rdson）和低栅极电荷特性。 它非常适合用于同步降压转换器应用。
CMD30DN03特性
暂无产品特性。
CMD30DN03应用领域
暂无应用领域。